第1题：
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
第2题：
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
第3题：
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
第4题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第5题：
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
第6题：
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
第7题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
第8题：
例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
第9题：
光刻加工的工艺过程为（）
第10题：
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。