用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

题目

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。

  • A、ARC
  • B、HMDS
  • C、正胶
  • D、负胶
参考答案和解析
正确答案:C
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第1题:

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第2题:

在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。

  • A、DQN
  • B、CA
  • C、ARC
  • D、PMMA

正确答案:A

第3题:

光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()


正确答案:正确

第4题:

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。

  • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
  • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
  • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
  • D、有利于以后的去胶工序
  • E、减少光刻胶的缺陷

正确答案:A,B,C,E

第5题:

感光胶分为正性胶和负性胶,简述它们是如何定义。


正确答案: (1)负性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是可溶的,曝光后发生光聚合反应,不溶于有机溶剂。当用它进行光刻时,在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相反的图形,故称之为负性胶。
(2)正性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是不可溶的,而曝光后却变成可溶的,使用它进行光刻时,在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相同的图形,故称之为正性胶。

第6题:

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。

  • A、负胶受显影液的影响比较小
  • B、正胶受显影液的影响比较小
  • C、正胶的曝光区将会膨胀变形
  • D、使用负胶可以得到更高的分辨率
  • E、负胶的曝光区将会膨胀变形

正确答案:A,C,D

第7题:

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。

  • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
  • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
  • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
  • D、有较高的光敏度
  • E、有较高的对比度

正确答案:A,B,C,D,E

第8题:

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上,负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化,它将留在硅片表面,作为后步工艺的保护层,不需要改变掩膜版的极性,并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀,所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶,深紫外光刻胶。

第9题:

关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是()。

  • A、负胶的感光区域溶解
  • B、正胶的感光区域溶解
  • C、负胶的感光区域不溶解
  • D、正胶的感光区域不溶解
  • E、负胶的非感光区域溶解

正确答案:B,C,E

第10题:

关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。

  • A、正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶
  • B、正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解
  • C、负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低
  • D、正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解
  • E、负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

正确答案:A,C,E