例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?

题目
问答题
例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?
参考答案和解析
正确答案: 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。


正确答案:错误

第2题:

例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。


正确答案:IC生产过程中的5种不同电学测试:
(1)IC设计验证:描述、调试和检验新的芯片设计,保证符合规格要求,是在生产前进行的。
(2)在线参数测试:为了监控工艺,在制作过程的早期(前端)进行的产品工艺检验测试。在硅片制造过程中进行。
(3)硅片拣选测试(探针):产品功能测试,验证每一个芯片是否符合产品规格。在硅片制造后进行。
(4)可靠性:集成电路加电并在高温下测试,以发现早期失效(有时候,也在在线参数测试中进行硅片级的可靠性测试)。在封装的IC进行。
(5)终测:使用产品规格进行的产品功能测试。在封装的IC进行。

第3题:

例举并描述薄膜生长的三个阶段。


正确答案:(1)晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面,是薄膜进一步生长的基础。
(2)凝聚成束
形成(Si)岛,且岛不断长大
(3)连续成膜
岛束汇合并形成固态的连续的薄膜 淀积的薄膜可以是单晶(如外延层)、多晶(多晶硅栅)和无定形(隔离介质,金属膜)的

第4题:

立式炉系统的五部分是什么?例举并简单描述。


正确答案:工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统。
工艺腔是对硅片加热的场所,由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片,自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛 控制系统控制炉子所有操作,如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片。

第5题:

例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。


正确答案:硅片拣选测试中的三种典型电学测试:
(1)DC测试:第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
(2)输出检查:硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平(逻辑“1”或高电平,逻辑“0”或低电平),是否和预期的一致。
(3)功能测试:功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面,它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。

第6题:

热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些?


正确答案:界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。

第7题:

例举并描述6种不同的塑料封装形式。


正确答案:6种不同的塑料封装形式:
(1)双列直插封装(DIP):典型有两列插孔式管脚向下弯,穿过电路板上的孔。
(2)单列直插封装(SIP):是DIP的替代品,用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
(3)薄小型封装(TSOP):广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
(4)西边形扁平封装(QFP):是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
(5)具有J性管脚的塑封电极芯片载体(PLCC)
(6)无引线芯片载体(LCC):是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式

第8题:

全天生产75%硅铁50吨,消耗95吨硅石(SiO2=98%),硅微粉回收量10吨、SiO2=95%,炉渣量为铁量的3%,炉渣中SiO2=30%,计算Si的回收率。


正确答案: 硅石中含Si总量=95×98%×28/60=43.45t;
硅微粉中含Si总量=10×95%×28/60=4.43t;
炉渣中含Si总量=50×3%×30%×28/60=0.21t;
Si回收率=(43.45-4.43-0.21)/43.45×100%=89.3%

第9题:

例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。


正确答案:金属用于硅片制造的七个要求:
1.导电率:为维持电性能的完整性,必须具有高电导率,能够传导高电流密度。
2.粘附性:能够粘附下层衬底,容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积:易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分(对于合金)。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化:为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形;大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性:为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化,金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性:很好的抗腐蚀性,在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力:很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效,比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。

第10题:

炼钢过程中,硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为()。

  • A、[Si]+2[0]=(SiO2
  • B、[Si]+{O2}=(SiO2
  • C、[Si]+2(FeO)=(SiO2)+2[Fe]

正确答案:B