炼钢中[Si]+2[O]=(SiO2)是吸热反应。

题目

炼钢中[Si]+2[O]=(SiO2)是吸热反应。

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第1题:

炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。

此题为判断题(对,错)。


正确答案:×

第2题:

转炉炼钢中,硅的直接氧化反应方程式是:2(FeO)+[Si]=2[Fe]+(SiO2)。

此题为判断题(对,错)。


正确答案:×

第3题:

电炉炼钢氧化终了时钢液中的[O]含量高低由()决定的。

A.温度

B.C

C.Si


本题答案:B

第4题:

中抗硫水泥熟料的主要化学成分为()。

  • A、CaO、SiO2、Al2O3、Fe2O3
  • B、CaO、SiO2、Al2O3、MgO,
  • C、f-CaO、SiO2、Al2O3、Fe2O3

正确答案:A

第5题:

热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些?


正确答案:界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。

第6题:

硅的直接氧化反应式为:()和[Si]+2[O]=(SiO2)。


正确答案:[Si]+{O2}=(SiO2)

第7题:

炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。


正确答案:错误

第8题:

SiO2玻璃中的Si-O键易和()键反应,所以易受碱性物质腐蚀。

A.H-

B.O2-

C.OH-

D.SO4-


正确答案:C

第9题:

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?


正确答案: 加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。 加入少量的氢气可以导致Si和SiO2的刻蚀速率减慢。 原理:氧气与碳原子反应生成CO和CO2,因此从等离子体中去掉了一些碳,从而增加了氟的浓度。这些等离子体称为富氟等离子体。 氧添加之后对Si的刻蚀速率提升比SiO2的刻蚀要快。 当氧添加含量超过一定值后,二者的刻蚀速率开始下降,是因为气相的氟原子再结合形成氟分子使得自由氟原子减少的缘故。另一方面二者的选择比也会急剧下降,因为吸附在硅表面的氧原子和氧分子会使得硅表现得更像二氧化硅。 往等离子体中加入氢,氢会与氟反应,一方面减少了氟离子的浓度,降低了刻蚀速率。另一方面形成富碳等离子体,过量碳会导致非挥发性的物质累积在侧壁表面,阻滞横向刻蚀的发生。 往CF4等离子体中加入少量的H2将导致硅和二氧化硅的刻蚀速率同时减慢。在中等的H2浓度下,H和F反应生成HF,HF刻蚀SiO2但并不刻蚀Si。同时,各向异性的不挥发性碳氟化合物薄膜的淀积过程得到增强。另一方面,SiO2表面反应生成的CO和CO2可以从系统中抽去,在Si表面确没有这些反应。因此,随着H2的加入,刻蚀SiO2和Si的选择比会急剧上升。

第10题:

炼钢过程中,硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为()。

  • A、[Si]+2[0]=(SiO2
  • B、[Si]+{O2}=(SiO2
  • C、[Si]+2(FeO)=(SiO2)+2[Fe]

正确答案:B

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