对
错
第1题：
下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
第2题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
第3题：
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
第4题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第5题：
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
第6题：
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
第7题：
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
第8题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
第9题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
第10题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。