第1题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第2题:
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
第3题:
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
第4题:
第5题:
晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。
第6题:
有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。
第7题:
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第8题:
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
第9题:
第10题:
名词解释题正光刻胶
问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?
问答题什么是负光刻胶?
问答题简述光刻胶的概念及目的
填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。
多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题?