第1题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第2题:
简述光刻工艺流程。
第3题:
什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?
第4题:
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
第5题:
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
第6题:
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。
第7题:
简述4次光刻的工艺流程。
第8题:
光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。
第9题:
光刻加工的工艺过程为()
第10题:
光刻和刻蚀的目的是什么?
问答题什么是光刻?光刻的主要流程有哪些?
问答题什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?
问答题光刻的作用是什么?列举两种常用曝光方式。
填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?
填空题光刻工艺的主要工序有:()组成。