为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?

题目
问答题
为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?
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相似问题和答案

第1题:

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?


正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的,它是晶圆加工过程的中心,为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能,成品率,可靠性。

第2题:

什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?


正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是:刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直;图片内无小岛、不染色、腐蚀干净;图形套合十分准确;介质膜或金属膜上无针孔;硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第3题:

LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。()

此题为判断题(对,错)。


答案:是

第4题:

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第5题:

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上,负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化,它将留在硅片表面,作为后步工艺的保护层,不需要改变掩膜版的极性,并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀,所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶,深紫外光刻胶。

第6题:

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?


正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中,保护下面的材料

第7题:

光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么?


正确答案:分辨率和焦深。

第8题:

B型超声诊断仪制造工艺采用()

  • A、光刻
  • B、声刻
  • C、雕刻
  • D、透镜

正确答案:A

第9题:

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第10题:

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


正确答案:在4次光刻中,第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻,为4次光刻的第二次光刻,光刻次数减少,但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为:连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。