违法和不良信息举报 联系客服
免费注册 登录

PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

题目
问答题
PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
参考答案和解析
正确答案： 需要六次光刻
第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
第二次—P+隔离扩散孔光刻；
第三次—P型基区扩散孔光刻；
第四次—N+发射区扩散孔光刻；
第五次—引线接触孔光刻；
第六次—金属化内连线光刻。
解析： 暂无解析
如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？


正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第2题：

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第3题：

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？


正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料

第4题：

问答题
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
解析： 暂无解析

第5题：

光刻和刻蚀的目的是什么？


正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

第6题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第7题：

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第8题：

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

  • A、扩散层质量
  • B、设计
  • C、光刻

正确答案:A

第9题：

在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

  • A、刻蚀
  • B、氧化
  • C、淀积
  • D、光刻

正确答案:D

第10题：

问答题
什么叫做光刻，光刻有何目的？

正确答案： 定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
解析： 暂无解析

更多相关问题
相关内容