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什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？

题目
问答题
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
参考答案和解析
正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。
解析： 暂无解析
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相似问题和答案

第1题：

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。

第2题：

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第3题：

解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？


正确答案:扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光 由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。
扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。

第4题：

问答题
解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？

正确答案： 扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1：1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。
解析： 暂无解析

第5题：

什么是纳米光刻？


正确答案: 是纳米技术的分支，为纳米级结构的制造，意指图案至少一个尺度的尺寸在单个原子与约100nm之间。纳米光刻主要运用在前沿半导体集成电路（纳米电路）或纳米机电系统（NEMS）的制造中。

第6题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第7题：

简述4次光刻的工艺流程。


正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

第8题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？


正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第9题：

晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

  • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
  • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
  • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
  • D、有利于以后的去胶工序
  • E、减少光刻胶的缺陷

正确答案:A,B,C,E

第10题：

填空题
光学光刻机主要有（）等几种。非光学光刻机主要有（）。

正确答案： 接触式、接近式、投影式和分步重复光刻机,电子束光刻机和X射线光刻机
解析： 暂无解析

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