第1题:
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
第2题:
什么是纳米光刻?
第3题:
解释扫描投影光刻机是怎样工作的?扫描投影光刻机努力解决什么问题?
第4题:
第5题:
选择性液体固化方法包括()。
第6题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第7题:
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。
第8题:
什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?
第9题:
第10题:
填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
问答题什么是光刻,光刻系统的主要指标有那些?
问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?
填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。
问答题简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。
问答题什么是负光刻胶?
问答题什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?