问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

题目

问答题

什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接联系老师获取答案。

相似问题和答案

第1题：

可用光刻－电铸－模铸复合成形技术加工的材料有下面那种?()

A、金属

B、陶瓷

C、玻璃

D、塑料

答案：AD

第2题：

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n^-区和n⁺区掺杂；
4）第四次光刻p⁺区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M₃层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiN_x等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和L_os区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH₃）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为10¹⁷~10¹⁸cm^-3，为轻掺杂的电子导电的n^-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的L_os区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为10²⁰~10²¹cm^-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n⁺区、部分轻掺杂的n^-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n^-区主要用于形成LDD结构的L_os区。重掺杂的n⁺区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第3题：

下列切削加工中属于超精密加工的是( )。

A.金刚石超精密车削

B.光刻加工

C.超声研磨

D.激光加工

参考答案ABC

第4题：

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第5题：

简述光刻工艺流程。

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第6题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第7题：

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。

第8题：

微尺度加工通常是指零件尺寸很小,立足于微细加工方法和纳米加工技术,比如()。

A、光刻

B、电子束

C、离子束加工

D、激光束加工

参考答案：ABCD

第9题：

简述4次光刻的工艺流程。

正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第10题：

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

A、干法刻蚀、湿法刻蚀
B、离子束刻蚀、激光刻蚀
C、溅射加工、直写加工
D、以上都可以

正确答案:A

什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

题目

相似问题和答案

更多相关问题

相关内容