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简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？

题目
问答题
简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？
参考答案和解析
正确答案： •正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。
•负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。
正性光刻
优点：较高的固有分辨率、较强的抗干法腐蚀能力、抗热处理能力、良好的台阶覆盖
缺点：粘附性差、抗湿法腐蚀能力差、成本高 
负性光刻：
优点：对环境因素不灵敏、很高的感光速度、极好的粘附性和腐蚀能力、成本低
缺点：分辨率较低
解析： 暂无解析
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第1题：

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。

第2题：

简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。


正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。

第3题：

根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？


正确答案: 根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式，接近式，投影式。接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂有光刻胶的晶圆片上。主要优点：设备简单，分辨率高，没有衍射效应主要缺点：掩模版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和掩模版上产生缺陷，降低掩模版使用寿命，成品率低，不适合大规模生产。接触式光刻机一般仅限用于能容忍较高缺陷水平的器件研究或其他方面的应用。接近式：接近式光刻机是掩模版同光刻胶间隔10～50μm，所以缺陷大大减少。主要优点：避免晶圆片与掩模直接接触，缺陷少。主要缺点：分辨率下降，存在衍射效应。
投影式：现今硅片光学曝光最主要的方法是投影式曝光。一般光学系统将光刻版上的图像缩小4x或5x倍，聚焦并与硅片上已有的图形对准后曝光，每次曝光一小部分，曝完一个图形后，硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光。主要优点：有接触式的分辨率，但不产生缺陷常用投影光刻机系统的类型有扫描光刻机、分步重复光刻机和扫描分步重复光刻机等。

第4题：

问答题
简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。
解析： 暂无解析

第5题：

选择性液体固化方法包括（）。

  • A、立体光刻
  • B、喷墨印刷
  • C、实体磨固化
  • D、激光光刻
  • E、选择性激光烧结

正确答案:A,C,D

第6题：

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第7题：

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

  • A、ARC
  • B、HMDS
  • C、正胶
  • D、负胶

正确答案:C

第8题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？


正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第9题：

简述光盘制作的光刻。


正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。

第10题：

问答题
什么是正光刻胶，负光刻胶？

正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。
解析： 暂无解析

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