铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第1题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
第2题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第3题：
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
第4题：
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）
第5题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
第6题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
第7题：
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
第8题：
反应离子腐蚀是（）。
第9题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
第10题：
a.离子束刻蚀、激光刻蚀
b.干法刻蚀、湿法刻蚀
c.溅射加工、直写加工