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什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

题目
问答题
什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
参考答案和解析
正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
○1保真度好，图形分辨率高；
○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
缺点：
○1设备复杂
○2选择比不如湿法
解析： 暂无解析
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相似问题和答案

第1题：

在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。


正确答案: 光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度的变化，根据检测的不同物质会有刻蚀终点光强增加与减弱两种状态。对于不同的刻蚀薄膜与刻蚀剂，有对应的需要检测的波长。不影响刻蚀的进行，且可对微小变化作出反应。光强正比于刻蚀速率，因此对刻蚀速率较慢的反映难以检测。刻蚀面积过小时，信号强度不足也会导致检测困难，如SiO2接触窗的刻蚀。

第2题：

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

  • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
  • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
  • C、溅射加工、直写加工
  • D、以上都可以

正确答案:A

第3题：

干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？


正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备

第4题：

问答题
干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？

正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。
解析： 暂无解析

第5题：

问答题
二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
解析： 暂无解析

第6题：

什么叫集中控制？什么叫分散控制？并比较二者的优缺点。


正确答案: 集中控制：处理机可以访问所有硬件资源并完成所有控制功能的配置叫集中控制。集中控制的优点是结构简单，处理机对整个运行状态有全面了解。其缺点是它的软件要包括各种不同特性的功能，规模大，管理困难，且系统的可靠性低，一旦出故障，容易造成全局中断。
分散控制：处理机只能访问资源的一部分，只能执行一部分功能的配置。分散控制又分为分级控制和全分散控制。分散控制的优点是每台处理机只承担一部分任务，只需装入一部分程序，分工明确且便于系统扩容，处理机的数量可随着容量的增加而逐步增加。分级控制的缺点是容量较小时，也需配置全部功能的处理机。全分散控制的缺点是每台处理机具有所有的功能。

第7题：

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  • A、刻蚀速率
  • B、选择性
  • C、各向同性
  • D、各向异性

正确答案:B

第8题：

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？


正确答案: 干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。
干法刻蚀与湿法刻蚀相比具有以下优点：①刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁控制；②良好的CD控制③最小的光刻胶脱落或粘附问题④良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性⑤较低的化学制品使用和处理费用
然而干法刻蚀也存在一些缺点，最主要的是对下层材料的选择比不高、等离子体带来的器件损伤以及昂贵的设备。

第9题：

单选题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
A

a.离子束刻蚀、激光刻蚀

B

b.干法刻蚀、湿法刻蚀

C

c.溅射加工、直写加工


正确答案： A
解析： 暂无解析

第10题：

判断题
通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
A

对

B

错


正确答案： 错
解析： 相反

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