杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
第1题：
两种物料加入搅拌槽后，其混合机理为主题对流扩散、涡流扩散和（）。
第2题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
第3题：
A、Fe原子扩散，C原子不扩散
B、Fe原子扩散，C原子也扩散
C、Fe原子不扩散，C原子扩散
D、Fe原子不扩散，C原子也不扩散
第4题：
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
第5题：
固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。
第6题：
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
第7题：
在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。
第8题：
此题为判断题(对，错)。
第9题：
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
第10题：
固态金属根据扩散过程中是否发生浓度变化分为（）。