填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

题目

填空题

扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

参考答案和解析

正确答案：杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯

解析：暂无解析

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第1题：

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()

此题为判断题(对，错)。

答案：错

第2题：

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

正确答案:硅中固态杂质扩散的三个步骤：
（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
（2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
（3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压

参考答案：B,C

第4题：

通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A、再分布
B、等表面浓度扩散
C、预淀积
D、等总掺杂剂量扩散

正确答案:C

第5题：

在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

A、推挤扩散
B、杂质扩散
C、填隙扩散
D、自扩散

正确答案:D

第6题：

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

正确答案:替位；间隙

第7题：

以P₂O₅为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式：①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快，以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠，形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢，所以离晶粒间界较远处杂质原子很少，形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比，晶粒内的扩散可以忽略不计，因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多，其扩散速度一般要大两个数量级。

第8题：

PN结是()形成的。

A、将P型和N型半导体掺杂

B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散

C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散

D、多数载流子与少数载流子相互扩散

参考答案：B

第9题：

固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

A、自扩散机制
B、杂质扩散机制
C、空位机制
D、菲克扩散方程机制

正确答案:C

第10题：

在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

A、填隙扩散
B、杂质扩散
C、推挤扩散
D、自扩散

正确答案:B

扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质

题目

参考答案和解析

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