对
错
第1题:
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
第2题:
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()
第3题:
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
第4题:
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。
第5题:
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
第6题:
以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
第7题:
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
第8题:
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
第9题:
通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
第10题:
真空系统中,串联使用,主要是为了()