扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂

题目

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

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第1题:

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度


参考答案:B

第2题:

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()

此题为判断题(对,错)。


答案:错

第3题:

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压


参考答案:A

第4题:

半导体二极管加正向电压时,()

  • A、电流大,电阻小
  • B、电流大,电阻大
  • C、电流小,电阻小
  • D、电流小,电阻大

正确答案:A

第5题:

半导体二极管加正向电压时,有()特性。

  • A、电流大电阻小
  • B、电流大电阻大
  • C、电流小电阻小
  • D、电流小电阻大

正确答案:A

第6题:

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合


参考答案:A

第7题:

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

第8题:

若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()


正确答案:错

第9题:

第二类回火脆性产生的原因是()的缘故。

  • A、晶粒边界杂质浓度增高
  • B、晶粒边界杂质浓度降低
  • C、晶粒内部杂质浓度增高
  • D、晶粒内部杂质浓度降低

正确答案:A

第10题:

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

  • A、基区薄而其杂质浓度低
  • B、基区杂质浓度高
  • C、降低发射区杂质浓度
  • D、加强电子在基区的复合

正确答案:A

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