第1题：
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
第2题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
第3题：
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
第4题：
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
第5题：
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
第6题：
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
第7题：
固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。
第8题：
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
第9题：
下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
第10题：
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的