扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。
第1题：
简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
第2题：
晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它能以较小的电流控制上千安的电流和数千伏的电压，是一种大功率的半导体可控器件，它包括有（）晶体闸流管、（）硅晶闸管、（）硅晶闸管及（）晶闸管等。
第3题：
第4题：
扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的（）与被测压力成正比的原理工作的。
第5题：
压阻式压力传感器是基于（）的原理工作的。
第6题：
由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。
第7题：
由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。
第8题：
A.单晶硅
B.晶体硅
C.多晶硅
第9题：
内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
第10题：
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）