例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
第1题:
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
第2题:
在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。
第3题:
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
第4题:
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第5题:
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?
第6题:
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
第7题:
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
第8题:
例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
第9题:
光刻加工的工艺过程为()
第10题:
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。