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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

题目

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

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相似问题和答案

第1题：

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第2题：

光刻和刻蚀的目的是什么？


正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

第3题：

光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？


正确答案:分辨率和焦深。

第4题：

问答题
PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

正确答案： 需要六次光刻
第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
第二次—P+隔离扩散孔光刻；
第三次—P型基区扩散孔光刻；
第四次—N+发射区扩散孔光刻；
第五次—引线接触孔光刻；
第六次—金属化内连线光刻。
解析： 暂无解析

第5题：

问答题
什么是正光刻胶，负光刻胶？

正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。
解析： 暂无解析

第6题：

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第7题：

问答题
简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。
解析： 暂无解析

第8题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第9题：

问答题
什么叫做光刻，光刻有何目的？

正确答案： 定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
解析： 暂无解析

第10题：

问答题
简述光刻的工艺过程。

正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
（1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
（2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
（3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
（4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
（5）去胶：去除残留的光刻胶。
解析： 暂无解析

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