反应离子腐蚀是（）。
第1题：
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
第2题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
第3题：
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
第4题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
第5题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
第6题：
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
第7题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第9题：
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
第10题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。