对
错
第1题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第2题：
反应离子腐蚀是（）。
第3题：
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
第4题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
第5题：
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
第6题：
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
第7题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
第8题：
此题为判断题(对，错)。
第9题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
第10题：
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。