杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？

第1题：

在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。

第2题：

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。

• A、正离子数
• B、负离子数
• C、质子
• D、原子

第3题：

第4题：

本征半导体掺入微量的三价元素形成的是（）型半导体，其多子为（）。

第5题：

本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。

第6题：

P（N）型半导体的多子、少子

第7题：

在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）

第8题：

第9题：

PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

• A、多子扩散而成
• B、少子扩散而成
• C、少子漂移而成
• D、多子漂移而成

第10题：

在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。