在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子

题目

在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。

A、多子，少子
B、少子，多子
C、多子，多子
D、少子，少子

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第1题：

P（N）型半导体的多子、少子

正确答案:由于N型半导体中自由电子多于空穴，所以自由电子为N型半导体的多数载流子（多子）；空穴则是N型半导体的少数载流子（少子）。

第2题：

本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。

正确答案:三价；空穴；自由电子

第3题：

PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A、多子扩散

B、少子扩散

C、多子漂移

D、少子漂移

参考答案：A

第4题：

在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。

正确答案:正确

第5题：

了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。

正确答案: 特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo-V）；势垒高度减小，由eV0变为e（Vo-V）；势垒区宽度w减小。出现非平衡载流子注入：载流子扩散电流大于漂移电流。n区中电子不断扩散到p区，p区中空穴不断扩散到n区，这种注入载流子的，为非平衡少子。正向电流：对PN结施加正向偏压V后，扩散电流大于漂移电流，导致非平衡少子注入而产生的电流。方向由p指向n。

第6题：

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）

A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移

正确答案:D

第7题：

PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

A、多子扩散而成
B、少子扩散而成
C、少子漂移而成
D、多子漂移而成

正确答案:A

第8题：

PN结加反向电压，则（）

A、有利于少子的扩散
B、PN结电阻变小
C、PN结变薄
D、不利于多子的扩散

正确答案:D

第9题：

在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）

A、P型半导体，其少子为自由电子
B、N型半导体，其多子为自由电子
C、P型半导体，其少子为空穴
D、N型半导体，其多子为空穴

正确答案:B

第10题：

在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）

正确答案:电子；空穴；空穴；电子

在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子

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