第1题：
怎样区分N型半导体和P型半导体（）
第2题：
P（N）型半导体的多子、少子
第3题：
此题为判断题(对，错)。
第4题：
在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。
第5题：
P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
第6题：
在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
第7题：
在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
第8题：
此题为判断题(对，错)。
第9题：
本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
第10题：
在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）