杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

题目

杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

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第1题：

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷

参考答案：A

第2题：

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度

参考答案：B

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压

参考答案：B,C

第4题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（），而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
E、空穴
F、自由电子

正确答案:A,C

第5题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷

正确答案:A

第6题：

杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。()

正确答案:对

第7题：

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子

参考答案：AC

第8题：

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压

参考答案：A

第9题：

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

A、非本征
B、本征

正确答案:B

第10题：

在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）

正确答案:P；空穴

杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

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