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在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

题目

在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

  • A、掺入杂质的浓度
  • B、材料
  • C、温度
参考答案和解析
正确答案:C
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第1题：

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷


参考答案：A

第2题：

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子


参考答案：AC

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压


参考答案：B,C

第4题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷
  • E、空穴
  • F、自由电子

正确答案:A,C

第5题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


正确答案:温度

第6题：

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度


参考答案：B

第7题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

第8题：

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压


参考答案：A

第9题：

在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。


正确答案:自由电子；掺杂；自由电子；本征激发

第10题：

在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）


正确答案:电子；空穴；空穴；电子

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