在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
第1题：
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
第2题：
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
第3题：
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
第4题：
在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
第5题：
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
第6题：
试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）
第7题：
测量被试设备的介损值，应该使用（）。
第8题：
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
第9题：
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。
第10题：
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）