若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
第1题：
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
第2题：
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
第3题：
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
第4题：
用额定电压10kV的试验变压器，测量电容量为20000pF试品的tgδ时，在下列试验变压器容量中最小可选择（）kVA
第5题：
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。
第6题：
试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）
第7题：
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
第8题：
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
第9题：
分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
第10题：
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）