简述湿法刻蚀。

第1题：

简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

第2题：

干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

第3题：

第4题：

硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

• A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
• B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
• C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

第5题：

（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

• A、刻蚀速率
• B、刻蚀深度
• C、移除速率
• D、刻蚀时间

第6题：

反应离子腐蚀是（）。

• A、化学刻蚀机理
• B、物理刻蚀机理
• C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

第7题：

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

• A、干法刻蚀、湿法刻蚀
• B、离子束刻蚀、激光刻蚀
• C、溅射加工、直写加工
• D、以上都可以

第8题：

铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

• A、等离子体刻蚀
• B、反应离子刻蚀
• C、湿法刻蚀
• D、溅射刻蚀

第9题：

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

• A、刻蚀速率
• B、选择性
• C、各向同性
• D、各向异性

第10题：