禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

题目

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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第1题:

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()


答案:对
解析:

第2题:

N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。


正确答案:错误

第3题:

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第4题:

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。


正确答案:五;自由电子;空穴;正

第5题:

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。


正确答案:错误

第6题:

N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )

A.满带中
B.导带中
C.禁带中,但接近满带顶
D.禁带中,但接近导带底

答案:D
解析:
N型半导体也称为电子型半导体,自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中处于禁带但接近导带底。

第7题:

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

  • A、越不容易受
  • B、越容易受
  • C、基本不受

正确答案:A

第8题:

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()

此题为判断题(对,错)。


答案:错

第9题:

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。

  • A、导带也是空带
  • B、满带与导带重合
  • C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子
  • D、禁带宽度较窄

正确答案:D

第10题:

半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。


正确答案:带隙

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