解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

题目
问答题
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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第1题:

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。


正确答案:离子;能量;退火处理

第2题:

肌肉收缩时肌小节的变化()

  • A、明、暗带均变窄
  • B、明、暗带均不变
  • C、明带不变,暗带变窄
  • D、暗带不变,明带变窄
  • E、暗带不变,明带变宽

正确答案:D

第3题:

N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )

A.满带中
B.导带中
C.禁带中,但接近满带顶
D.禁带中,但接近导带底

答案:D
解析:
N型半导体也称为电子型半导体,自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中处于禁带但接近导带底。

第4题:

半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。


正确答案:正确

第5题:

在肌肉收缩时,明带和暗带的变化是()

  • A、明带变宽、暗带变窄
  • B、明带变窄、暗带变宽
  • C、明带变窄、暗带不变
  • D、明带不变、暗带变窄

正确答案:C

第6题:

在高掺杂效应中,造成禁带收缩的主要原因是什么?


正确答案: 1﹑硅的能带边缘出现了一个能带尾态,于是禁带缩小到两个尾态边缘间的宽度。
2﹑随着杂质浓度的增加,杂质能级扩散为杂质能带,并且有可能和硅的能带相接,而使硅的能带延伸到杂质能带的边缘,禁带也就变小了。
3﹑高浓度的杂质使晶格发生宏观应变,从而造成禁带随空间变化而使禁带缩小。

第7题:

什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?


正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少,为提高半导体的导电能力,通常在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称P型半导体。

第8题:

肌肉收缩时肌小节的变化是( )


A.明、暗带均变窄

B.明、暗带均不变

C.明带不变、暗带变窄

D.暗带不变,明带变窄

E.暗带变宽

答案:D
解析:

第9题:

本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体


正确答案:错误

第10题:

下列掺杂半导体属于n型半导体的是()

  • A、In掺杂的Ge
  • B、As掺入Ge
  • C、As掺入Si
  • D、InSb中,Si占据Sb的位置
  • E、GaN中,Mg占据Ga的位置

正确答案:B,C

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