掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

题目
单选题
掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A

禁带

B

分子

C

粒子

D

能带

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第1题:

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错

第2题:

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。


正确答案:正确

第3题:

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第4题:

N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。


正确答案:正确

第5题:

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。

  • A、W型半导体
  • B、U型半导体
  • C、P型半导体
  • D、N型半导体

正确答案:D

第6题:

在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,导体作用主要由空穴决定。

此题为判断题(对,错)。


正确答案:√

第7题:

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子,空穴;扩散,飘移 
  • B、空穴,自由电子;漂移,扩散 
  • C、空穴,自由电子;扩散,漂移 
  • D、自由电子,空穴;漂移,扩散 
  • E、自由电子,空穴;扩散,扩散

正确答案:C

第8题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。

A、空穴,空穴

B、空穴,电子

C、电子,电子

D、电子,空穴


参考答案:B

第9题:

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。

  • A、W型半导体
  • B、U型半导体
  • C、P型半导体

正确答案:C

第10题:

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()

  • A、仅自由电子是载流子
  • B、仅空穴是载流子
  • C、自由电子和空穴都是载流子
  • D、三价杂质离子也是载流子

正确答案:C

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