c-Si是由（）组成的。
晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。
实际生产中，金属冷却时（）。
由金属学理论得知，先结晶的金属较纯，后结晶的金属杂质较多，并且聚集在晶界上。
机械工程材料老师给的复习题华南理工大学广州学院答案 篇一：机械工程材料习题集答案-华南理工大学 习题集参考答案 Ch1 金属的晶体结构 三、 1. bcc、fcc、hcp，bcc、fcc、hcp。 2. 致密度，配位数 3. 2/a2 、1.4/a2、2.31/a2 ；1/a、 1.4/a、 0.58/a。111、110。 4. 多、晶体缺陷。 5. fcc、hcp。 6. 4、 2 a、12、0.74。 4 7. 空位、间隙原子；位错；晶界和亚晶界。 8. 121、（121） 9. 畸变，升高，下降。 10.晶体中已滑移的部分，未滑移部分。 11.、 12.位错线和。1；无数。 四、 Ch2纯金属的结晶 三、 1. 低于理论结晶温度才结晶，理论结晶温度-实际结晶温度。 2. 形核与长大。 3. 大、细、高、好。 4. 液、固相自由能差，液相过冷。 5. 平面、密排面。 6. 表面细等轴晶、柱状晶、中心粗等轴晶。 7. 偏析、疏松、气孔、夹杂物。 8. （ 1）细，（2）细，（3）细。 四、五、 Ch3 金属的塑性变形与再结晶 三、 1. 滑移、孪生，滑移2. 原子密度最大。 3. 110，6,111,2,12；111，4，110，3，12。Fcc，滑移方向较多。4. kscoscos或k s coscos ，小，软位向。 5. 晶界、晶体位向差，较高。 6. 提高，升高，下降。再结晶退火。 7. 织构。 8. 回复、再结晶、晶粒长大。 9. 去应力退火，200-3000C。 10. 去应力退火。 11. 再结晶退火，降低硬度、恢复塑性。 12. 再结晶温度。低于再结晶温度，高于再结晶温度。 13. 偏析、杂质、夹杂物，热加工纤维组织（流线）。 14. 优于。 四、 Ch4 合金的相结构与二元合金相图 三、 1. 固溶体；金属化合物 2. 溶剂，溶质，溶剂。 3. 溶质，溶剂；置换固溶体、间隙固溶体。 4. 升高，提高，下降。 5. 正常价化合物；电子化合物；间隙化合物。 6. 平衡，平衡、状态。 7. 合金，两条边界线。 8. 差，树枝，差，多，少。 9. 晶格结构。 10. 三，水平。 11. 机械混合物，数量、形态、分布。 12. 共晶、包晶、共析。 13. 固溶强化、细晶强化、弥散强化、时效硬化。 14. ,；, ；，。 1 Ch5铁碳合金 三、 1. -Fe,-Fe,-Fe；bcc，fcc，bcc。 2. 、Fe3C，2。 3. 5，L、Fe3C。 4. 3，HJB、ECF、PSK；包晶、共晶、共析。 5. 0.0218%，+Fe3C。 6. 4.3%，P=40.4%、Fe3C共晶=47.8%、Fe3C=11.8%。 7. 0.47% 8. 单相，塑，锻压。 9. 共晶，莱氏体，铸造。 10. =88.78%，Fe3C共析=11.22。 11. 1.3%C。 12. PSK、GS、ES。 13. C，-Fe，bcc。 14. Fe3C，P。 15. ，P。 16. Si、Mn、P、S；P、S，P、S。 17. 杂质P、S含量。 18. 0.25%；0.25-0.6%；0.6。 2 Ch6 钢的热处理 三、 1. 加热、保温、冷却,组织。 2. 扩散，扩散。 3. Ac1、Ac3、Accm；Ar1、Ar3、Arcm。 4. 加热温度、保温时间、原始组织、化学成分。 5. 快，高、长。 6. 8，1、8。1-4，5-8。 7. 、Fe3C；片层间距不同。 8. 低，好。 9. 化学成分，奥氏体化条件。 10. 扩散型，半扩散型，非扩散型。 11. 板条状，0.2%，位错；针状，1.0%，孪晶。 12. 条间；内，好。 13. 过冷奥氏体等温转变曲线，TTT；过冷奥氏体等连续转变曲线图。 14. 晶体结构，C%，过饱和固溶体。 15. 低，多。 16. 晶格畸变量的大小，C%。 17. 水；油。 18. 获得全部M的冷却速度，好。 19. C%，化学成分、奥氏体化条件。 20. 低温回火，时效，消除应力。 21. 等温淬火。 22. Ac3、Accm，空冷。 23. M+F，偏低。 24. 正火、球化退火；再结晶退火，定型处理；去应力退火。 25. Ac1，M+K+A（少量），M+A（大量），K，A，A晶粒粗大。 26. 淬透性，距水冷端10-15mm处硬度为HRC36。 27. 调质，S回，表面淬火+低温回火，M回。 28. P球或P+Fe3C，B下+Fe3C粒，B下+M+Fe3C粒+A（少量），M+Fe3C粒+A（少量）。29. M+A（少量），M+B+A（少量），F+M+B+A（少量），F+P。 30. T8，T12。 31. 淬火+高温回火；S回。 32. 0.4-0.5%。 33. 分解、吸附、扩散。 34. 双液淬火。 35. 过共析，共析，亚共析。 36. 0.7，0.15。 37. 氰化，软氮化。 3 五、 Ch7 合金钢 三、 1. 扩大，上升，下降。 2. 右，降低，提高。 3. 二。 4. S、P、Pb、Ca；改善切削性能。 5. 油，消除第二类回火脆性。 6. 去应力（定型），淬火+中温回火。 7. 降低硬度，淬火，组织准备。 8. 低碳，中碳，高碳。 9. P球，Fe3C。 10. W：产生二次硬化、提高红硬性；Cr：提高淬透性；V：细化晶粒。 成型，改善碳化物分布（打碎鱼骨状碳化物）； 560C，3； M回、K、A；高硬度、高耐磨性、高红硬性。 11. M，提高，二次淬火。 12. （1）提高淬透性；提高电极电位；（2）细化晶粒；消除晶间腐蚀。 13. 化学，电化学；氧化、氢蚀、化学介质；微电池，电化学。 14. M，F，A。 15. 固溶、稳定化、去应力。 16. （略） 17. A，良好的耐冲击磨损；冲击及。 18. 碳化物的弥散硬化，AM的二次淬火。 19. 在较高温度（如500-6000C）仍保持高硬度和耐磨性。 4 篇二：单片机原理及应用(华南理工大学广州学院) (D) MOV P2，#33H MOV R2，#55H MO A，R2 6 80C51单片机要用传送指令访问片内程序存储器，它的指令操作码助记符是以下哪个？ (A) MOV (B) MO (C) MOVC (D) MUL 7 假定设置堆栈指针SP的值为37H，在进行子程序调用时把断点地址进栈保护后，SP的值为 (A) 36H (B) 37H (C) 38H (D) 39H 8 在80C51中，可使用的堆栈最大深度为 (A) 80个单元 (B) 32个单元 (C) 128个单元 (D) 8个单元 9 下列条件中，不是中断相应必要条件的是 (A) TCON或SCON寄存器中相关的中断标志位置1 (B) IE寄存器中相关的中断允许位置1 (C) IP寄存器中相关位置1 (D) 中断请求发生在指令周期的最后一个机器周期 10 执行中断返回指令，要从堆栈弹出断点地址，以便去执行被中断了的主程序。从堆栈弹出的断点地址送给 (A) A (B) CY (C) PC (D) DPTR 11 下列叙述中，不属
金属的理论结晶温度与实际结晶温度的差值叫过冷度。
由液相同时结晶出两种固相的结晶过程称为（）。
金属结晶时，实际结晶温度必须（）理论结晶温度，结晶过冷度主要受（）影响。
金属实际凝固时，液态金属冷却到理论结晶温度T0以下某一温度Tn才开始结晶，这种现象称为（）现象，理论结晶温度与实际结晶温度的差称为（）。
冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。