以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
第1题：
画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）
第2题：
什么叫窄沟效应? （科广试题）
第3题：
please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09）
第4题：
第5题：
Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
第6题：
什么叫Latchup?（科广试题）
第7题：
画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
第8题：
画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
第9题：
第10题：
