第1题：
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。
A、必须正偏
B、必须零偏
C、必须反偏
D、可以正偏、零偏或反偏
第2题：
此题为判断题(对，错)。
第3题：
A、发射结和集电结同时正偏
B、发射结和集电结同时反偏
C、集电结正偏，发射结反偏
D、集电结反偏，发射结正偏
第4题：
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）
第5题：
变容二极管的电容量随（）变化。
第6题：
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A、前者反偏、后者反偏
B、前者正偏、后者反偏
C、前者正偏、后者正偏
D、前者反偏，后者正偏
第7题：
第8题：
A、前者反偏、后者也反偏
B、前者正偏、后者反偏
C、前者正偏、后者也正偏
D、前者反偏、后者正偏
第9题：
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）
第10题：
给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）