试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

题目

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

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相似问题和答案

第1题：

简述光刻工艺流程。

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第2题：

简述7次光刻的第二次光刻中O₂灰化的作用。

正确答案:O₂灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiN_x膜的上面进行氧气O₂等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiO_x薄膜，增强与光刻胶的附着性。

第3题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第4题：

问答题

PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

正确答案：需要六次光刻
第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
第二次—P+隔离扩散孔光刻；
第三次—P型基区扩散孔光刻；
第四次—N+发射区扩散孔光刻；
第五次—引线接触孔光刻；
第六次—金属化内连线光刻。

解析：暂无解析

第5题：

问答题

简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

正确答案：光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。

解析：暂无解析

第6题：

述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。

正确答案:ITO的作用：
1）TFT处ITO，作像素电极用。与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示；
2）存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极。与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两个电极之间的介质层为绝缘层和钝化层；
3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层。为防止金属电极直接曝露在大气下氧化，在外引线曝露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

第7题：

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiN_x约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiN_x，钝化层的P-SiN_x约2500Å，绝缘层SiN_x约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

第8题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第9题：

问答题

什么叫做光刻，光刻有何目的？

正确答案：定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。

解析：暂无解析

第10题：

填空题

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

正确答案：涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶

解析：暂无解析

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

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