问题：简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
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问题：禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
问题：哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
问题：影响氧化速度的因素有哪些？
问题：有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
问题：光刻和刻蚀的目的是什么？
问题：半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
问题：晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
问题：分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
问题：低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
问题：干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
问题：解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。
问题：解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
问题：腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
问题：简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
问题：解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？
问题：简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
问题：给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
问题：例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
问题：例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
