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关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

题目

关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  • A、Cl通道开放可降低IPSP
  • B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
  • C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
  • D、IPSP使神经元的兴奋性增加
  • E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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第1题：

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

A．突触前末梢去极化

B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


正确答案：E
解析：IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。

第2题：

关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的

A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

答案：E
解析：
抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位，对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用，使该神经元不容易产生动作电位。

第3题：

兴奋性突触传递过程为()

A、突触前膜释放兴奋性递质

B、递质与突触后膜受体结合

C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加

D、突触后膜产生EPSP

E、EPSP总和达到阈电位，突触后神经元产生动作电位


参考答案：ABCDE

第4题：

对突触后抑制的叙述，正确的是


A.必须通过抑制性中间神经元实现
B.是由于突触后膜呈超极化
C.其产生仅与IPSP有关，而与EPSP无关
D.可分为侧支抑制和返回抑制

答案：A,B,C,D
解析：

第5题：

IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使突触后膜的
A. K+通道开放 B. Na+通道开放 C. Ca2+通道开放 D. Cl一通道开放


答案：A,D
解析：
抑制性突触后电位（IPSP)的产生机制是抑制性递质作用于突触后膜，使突触后膜上的配体门 控Cl－通道开放，内流，突触后膜超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K +通道开放或Na+、 Ca2+通道的关闭有关。

第6题：

关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()

A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

B.突触前轴突末梢去极化

C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D.Ca2+由膜外进人突触前膜内

E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


正确答案：E
抑制性递质作用于突触后膜，是突触后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，是突触后膜发生超级化，膜电位减小。

第7题：

下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？

A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP

答案：A
解析：

第8题：

对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是()

A、前者发生于突触后膜，后者发生于突触前膜

B、前者中间神经元是抑制性的，后者中间神经元为兴奋性的

C、前者为超极化抑制，后者为去极化抑制

D、两者抑制都与IPSP有关

E、两者最终均使突触后神经元抑制


参考答案：D

第9题：

抑制性突触电位产生的机制是

A.突触前膜释放抑制性递质
B.递质与突触后膜受体结合
C.突触后膜对Cl-通透性增加
D.后膜去极化

答案：A,B,C
解析：

第10题：

产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）

  • A、突触前末梢递质释放减少
  • B、突触后膜Ca2+电导降低
  • C、突触后膜Na+电导降低
  • D、中间神经元受抑制
  • E、突触后膜发生超极化

正确答案:E

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