关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
第1题：
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
第2题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+
第3题：
第4题：
由膜外进入突触前膜内
、Cl
或Cl
的通透性升高
第5题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
第6题：
以下关于等熵膨胀过程的描述错误的是：
A、膨胀后气体的温度总是降低的
B、气体的等熵膨胀效应总是大于节流膨胀效应
C、等熵膨胀的温降比节流膨胀要大
D、等熵膨胀过程总是产生冷效应
第7题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
第8题：
关于视杆细胞，描述错误的是
A、不能产生动作电位
B、能产生感受器电位
C、视敏度高
D、光敏度高
E、感受弱光刺激
第9题：
A.SDCCH与SACCH是成对产生的
B.SDCCH与TCH是成对产生的
C.TCH与SACCH是成对产生的
D.TCH与FACCH不是成对产生的
第10题：
通道开放，一定量的Ca
顺浓度差流入突触内，在Ca
的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl
通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。