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什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？

题目
问答题
什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？
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相似问题和答案

第1题：

应用产、汇流方案由设计暴雨推求设计洪水时,为什么涉及外延和移用问题?


参考答案：①设计暴雨属稀遇的大暴雨，往往超过实测值，在推求设计洪水时，必须外延有关的产、汇流方案;②如果设计流域缺乏实测降雨径流资料，无法直接分析产、汇流方案，需移用相似流域的分析成果。

第2题：

在SOP中，断定全部外延的是（），没有断定全部外延的是（）。


正确答案:项“P”；主项“S”

第3题：

()期望是指客户对提供的商品形式层和外延层产生的满意。

A.物质层次

B.精神层次

C.社会层次

D.市场层次


参考答案：C

第4题：

为什么资源的外延是不断拓展的？


正确答案:就自然资源来讲，其本质是自然环境和人类社会相互作用的一种价值判断与评价，是以人类利用为标准的。正是人类的能力和需要，而不仅仅是自然界的存在，创造了资源的价值。所以对自然资源的看法随着知识的增加、技术的改善、人类需求的变化和文化的发展而随时变动。就社会资源来讲，近些年来，一系列新兴技术迅猛发展，产业布局和产业结构发生了深刻的变化。这些产业的发展，不仅仅要依赖自然资源和劳力资源，更多地要依赖智力、信息、技术、管理和组织能力。因此，智力、信息、技术、管理等都是属于社会资源的范畴。所以说资源是个历史的范畴，它的外延在不断拓展。

第5题：

什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？


正确答案:自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。
自然氧化层引起的问题是：
①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响

第6题：

产品的整体概念由( )组成。

A.核心层
B.形式层
C.外延层
D.组合层
E.扩大层

答案：A,B,E
解析：

第7题：

什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？


正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。

第8题：

利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?


答案：电极成型、研磨、切割等工艺。

第9题：

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。


正确答案:不够；质量差

第10题：

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？


正确答案: 固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化，而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点，非晶区以固相外延方式生长后，位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶（a/C.界面的缺陷称为射程末端（EOR，End-of-RangE.缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于a/c界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。若位错环位于PN结耗尽区附近，会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散，使位错环处于高掺杂区，同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。

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