什么叫做分子束外延?什么叫做同质外延?什么叫做异质外延?

题目
问答题
什么叫做分子束外延?什么叫做同质外延?什么叫做异质外延?
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相似问题和答案

第1题:

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。


正确答案:化学气相;液相;原子束外延

第2题:

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。


正确答案:化学气相;液相;分子束

第3题:

在种属关系中,外延大的那个概念叫做()概念,外延小的概念叫()概念。


参考答案:属 种

第4题:

简述分子束外延装置特点


正确答案:可精确控制膜厚,实现外延生长,获得高洁净度的膜层。

第5题:

简述薄膜材料的形成过程,什么是分子束外延?什么是超晶格?


正确答案: 薄膜形成过程:一般分为凝结过程,岛形成与结合生长过程。
大多数薄膜都是以岛状形式形成和长大,即在基体表面上吸附原子凝结后,在表面上扩散迁移形成晶核,晶核再结合其它吸附原子逐渐长大形成小岛,岛再结合其他气相原子便形成薄膜,因此薄膜形成是由形核开始的。
形核首先经历吸附与凝结过程,原子相互碰撞结合成原子对或小原子团并凝结在基体表面上;这种原子团和其他吸附原子碰撞结合或释放出一个单原子,这个过程反复进行,使原子团中的原子数超过某一临界值,成为临界核,临界核继续与其他原子碰撞结合,只向长大方向发展形成稳定的原子团,称为稳定核;稳定核再捕获其他吸附原子,或者入射原子束中的气相原子直接碰撞在稳定核上被粘附,使稳定核进一步长大成为小岛。通过上述讨论可知,薄膜形成经历了吸附,凝结,临界核形成与长大,稳定核形成长大,最后成为小岛的物理过程。
实际上形核长大只是薄膜形成的开始,薄膜形成的过程是指形成稳定核之后的过程;同样,薄膜生长模式是指薄膜形成的宏观方式。在稳定膜形成之后,岛状薄膜的形成过程,分为岛状、联并、沟道和连续膜四个阶段。岛状阶段是指在核长大变成小岛的过程中,平行基体表而方向的长大速度明显大于垂直方向的长大速度,说明基体表面上吸附原子的扩散迁移碰撞结合是主要的。联并阶段是指岛在不断长大过程中,岛间距离逐渐缩小,最后相邻小岛相互联接合并成一个大岛。沟道阶段是在岛联并后,新岛继续长大,当岛的分布达到临界值时,小岛相互聚结形成网状结构。网状结构中不规则地分布着5—20nm宽的沟渠。连续膜阶段是在沟渠和孔洞消失之后,入射的气相原子直接吸附在薄膜上,通过联并作用形成不同结构的薄膜。
分子束外延:是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。
超晶格:由两种或以上不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。薄层厚度d远大于材料的晶格常数a,但接近或小于电子的自由程。

第6题:

什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?


正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层,新的外延层会复制硅片的晶体结构,并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性,例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓,而这些因素与硅片衬底无关的,这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。

第7题:

概念反映的所有对象的共同本质属性的总和,叫做这个概念的()。

  • A、外延
  • B、范围
  • C、内涵
  • D、指称

正确答案:C

第8题:

概念的内容与外延是什么?
内涵:反映在概念中的对象,它所具有本质属性。
外延:具有概念所反映的本质属性的思维对象。

第9题:

在真包含关系中,外延大的那个概念叫做()概念,外延小的那个概念叫做()概念。


正确答案:属、种

第10题:

什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?


正确答案: 固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化,而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点,非晶区以固相外延方式生长后,位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶(a/C.界面的缺陷称为射程末端(EOR,End-of-RangE.缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于a/c界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。若位错环位于PN结耗尽区附近,会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散,使位错环处于高掺杂区,同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。