集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

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集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
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第1题:

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


正确答案:1)刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔,需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å,能形成良好的接触环,并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候,ITO会把Al还原,所以刻蚀时间不能太长。
2)刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时,需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx,钝化层的P-SiNx约2500Å,绝缘层SiNx约3500Å共6500Å,为保证刻蚀干净,刻蚀时间不能太短。因此,刻蚀条件的控制非常关键。

第2题:

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。

  • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
  • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
  • C、溅射加工、直写加工
  • D、以上都可以

正确答案:A

第3题:

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区

正确答案:A,B

第4题:

微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。


正确答案:超微机械加工;封接技术;分子装配技术

第5题:

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。

  • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
  • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
  • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
  • D、有利于以后的去胶工序
  • E、减少光刻胶的缺陷

正确答案:A,B,C,E

第6题:

实现超微图形成像的()技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

  • A、光刻
  • B、刻蚀
  • C、氧化
  • D、溅射

正确答案:A

第7题:

光刻和刻蚀的目的是什么?


正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上,而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

第8题:

有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

  • A、离子注入
  • B、刻蚀
  • C、扩散
  • D、光刻

正确答案:D

第9题:

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。

  • A、刻蚀
  • B、氧化
  • C、淀积
  • D、光刻

正确答案:D

第10题:

先进制造工艺技术包括哪些?


正确答案:(1)精密、超精密加工技术。
(2)精密成形制造技术。
(3)特种加工技术。