对
错
第1题：
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
第2题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
第4题：
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
第5题：
集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。
第6题：
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
第7题：
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
第8题：
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
第9题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第10题：
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。