描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。

第1题：

例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。

第2题：

通常情况下，在小区重选准则C2的算法中，有一个参数TEMPORARY OFFSET。其对C2值的影响是（）。

• A、给C2值加一个正的临时偏置
• B、给C2值加一个负的临时偏置
• C、不影响C2的值
• D、给C2值加一个固定偏置

第3题：

第4题：

在分压式偏置电路中，β值的大小对放大器静态工作点Q无影响。（）

第5题：

当主销的延长线与地面交点在车轮中心平面上，此时描述正确的是（）。

• A、主销偏置矩为零
• B、主销偏置矩为负
• C、主销偏置矩为正

第6题：

描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。

第7题：

使用G92指令可使偏置尺寸根据需要设置，不受偏置寄存器（PSO）的限制。另一优点是修改偏置尺寸时，只需修改本工件的G92指令后面的尺寸即可，对其他工件无影响，这样就方便多了。

第8题：

第9题：

将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。

• A、10
• B、20
• C、5
• D、15

第10题：

分压偏置放大电路的静态工作点受温度的影响很小。