问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

题目

问答题

简述光刻工艺的8个基本步骤。

如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接联系老师获取答案。

相似问题和答案

第1题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第2题：

简述光刻工艺流程。

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第3题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第4题：

问答题

简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

正确答案：光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。

解析：暂无解析

第5题：

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第6题：

光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

正确答案:前烘；显影；去胶

第7题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第8题：

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n^-区和n⁺区掺杂；
4）第四次光刻p⁺区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M₃层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiN_x等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和L_os区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH₃）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为10¹⁷~10¹⁸cm^-3，为轻掺杂的电子导电的n^-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的L_os区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为10²⁰~10²¹cm^-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n⁺区、部分轻掺杂的n^-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n^-区主要用于形成LDD结构的L_os区。重掺杂的n⁺区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第9题：

简述制定模具工艺规程的基本步骤。

正确答案:①对模具总图和零件图研究和工艺性分析；
②确定生产类型；
③确定毛坯的种类和尺寸；
④选择定位基准和主要表面的加工方法，拟定零件的加工路线；
⑤确定工序尺寸、公差和技术条件；
⑥确定机床、工艺装备、切削用量和劳动定额；
⑦填写工艺文件。

第10题：

问答题

简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

正确答案： P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线。

解析：暂无解析

简述光刻工艺的8个基本步骤。

题目

相似问题和答案

更多相关问题

相关内容