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CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（

题目
填空题
CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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相似问题和答案

第1题：

化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。


正确答案:酸性；氧化性

第2题：

集成电路是指在一个半导体硅片上制造的电子电路。（）


正确答案:正确

第3题：

“要向硅片挑战，DNA还有很长的路要走”的意思是（ ）。

A.DNA的计算速度远远落后于硅片

B.硅片的工作效率低于DNA

C.DNA的配置不如硅片

D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多


正确答案：A
A【解析】由第三段内容知BD两项内容是错误的，C项的内容无法从短文中获知；故正确答案为A。

第4题：

单选题
刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
A

 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

B

 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

C

 变成刻蚀介质以形成一个凹槽

D

 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用


正确答案： B
解析： 暂无解析

第5题：

绒面结构及作用；单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。


正确答案: 绒面结构：<100>晶向的硅单晶，经腐蚀后表面会形成（在显微镜下看到）像“金字塔”形状高低不平的表面。作用：减少电池表面的光反射，大大提高对光的吸收率，最大限度提高光电转换效率。腐蚀剂：单晶硅使用NaOH水溶液或KOH水溶液；多晶硅使用HF混合液。
提高绒面结构质量采用的措施：
1.在NaOH水溶液中加入少量异丙醇。
2.用NaCO3（K2CO3）或磷酸钠液对单晶硅片进行结构处理。

第6题：

静电释放带来的问题有哪些（）。

  • A、金属电迁移
  • B、金属尖刺现象
  • C、芯片产生超过1A的峰值电流
  • D、栅氧化层击穿
  • E、吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面

正确答案:C,D,E

第7题：

单晶硅硅片的制造过程？


正确答案: 首先将用CZ法得到的单晶硅铸模用专用切割机进行切割。目前太阳能电池用的铸模，仍以生产性能高的线形锯切割为主，然后对切割面进行研磨，使其表面平滑。由于切割面是被机械冲击过的，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面减薄10~20μm的程度。最终得到约为300μm厚的硅片。

第8题：

例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。


正确答案:金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。

第9题：

在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。

  • A、粗抛液的浓度
  • B、粗抛时间
  • C、溶液的密度
  • D、溶液的温度

正确答案:C

第10题：

填空题
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

正确答案： 掺杂阻挡,表面钝化,金属层间介质
解析： 暂无解析

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